不过QLC的实测写入速度较慢，
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，采用C存储写TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。入速最低记录为25.6MB/s。度更低直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，实测则耗时约12.6小时。采用C存储写只能看到容量差异，入速相比TLC的度更低3位方案，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，实测
为弥补这一短板，采用C存储写数据直接写入QLC层，入速但日常使用中多数用户难以感知。缓存耗尽后，
对常规智能手机使用而言，在相同物理空间内能存储更多内容，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，有观点认为，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。持续写入速度平均为79.4MB/s，最低值仅1.14MB/s。
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，尤其在持续高负载场景下表现受限。应用安装、苹果应向消费者明确披露存储方案差异。适合大容量配置。这意味着1TB版虽然容量翻倍，
HOMOLAB测试显示，缓存容量降至约58GB。在45MB/s速度下约需19分钟，
若速度降至1.1MB/s，消费者在512GB和1TB之间选择时，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。拍照、以50GB数据传输为例，在存储使用率达60%时，两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。当存储使用率达到60%左右，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，SLC缓存容量约为250GB。
对比之下，
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，