JEDEC正在讨论将HBM5的混合键合凉K海厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，力士当前HBM4的急刹I/O数量已翻倍至2048个。

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的用不也悬问题。无需使用凸点，混合键合凉K海

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的力士铜线，届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。急刹即使到HBM5也可能暂不采用。用不也悬即使到HBM4E阶段，混合键合凉K海可从堆叠内部带走热量。力士两家公司正重新评估采用混合键合的急刹时机，这进一步延缓了混合键合的用不也悬规模化部署。

7月6日消息，混合键合凉K海三星开发了HPB热通道模块，力士

SK海力士则推出iHBM技术，急刹然而，将电绝缘、厚度标准松动后，短期内混合键合不会大规模部署，以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。

混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。行业分析师指出，

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，HBM4已放宽至775微米。有助于减小HBM厚度并改善散热。称可较现有产品降低超过30%热阻。

业内判断，在封装内部加入独立热柱，12层产品仍极有可能被用作主流产品。据报道，不过混合键合的研发并未停滞。

16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。

而HBM3E标准厚度为720微米，导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，

散热问题也有了更简单的替代方案。现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。