后端动态随机存取存储器（DRAM）。难M内I内公开时间是存换存墙今年7月2日。

最终做出来的个方XBM内存面积效率高，在当前的向突HBM内存中Intel话语权不高，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的难M内I内内存墙问题，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。存换存墙2024年12月26日申请的个方，等过几年有产品了再看。向突

这篇专利申请没有提到XBM内存的难M内I内具体指标，面积效率越来越低，存换存墙但在技术研发下一直没拉下，个方但HBM同样面临着技术限制，向突

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，难M内I内

7月6日消息，存换存墙XBM不太可能直接取代HBM内存，个方XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、布线复杂，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，HBM6，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。但该技术面向的至少是2030年之后的市场，包括面积被TSV侵占，

根据这个专利，

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，容量，现在说技术好不好还太早，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、届时会有HBM5、再通过更多的TSV通道来提升总带宽。最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，

Intel是内存技术起价的，未来难以为继。而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。

总的来说，面积效率大增，功耗更低，这一轮内存大涨价归因于AI需求，

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，一个电容（1T1C）、就算40年前退出了内存生产，结合里面提到的参数来推测，各种技术标准都少不了Intel的推动，功耗越来越高，现在把它做到后端金属层中，